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DIODES INC. DMN6066SSD-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 60V, 3.3A


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N. Articolo:
     8585-3944125
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN6066SSD-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 3.3 A Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.3 A Resistenza RdsON canale N 0.048 ohm Resistenza RdsON canale P 0.048 ohm Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 1.8 W Dissipazione di potenza canale P 1.8 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMN6066SSD-13, 3944125, 394-4125
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