Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3944039 N. Art. Produtt.:
DMC3021LSDQ-13 EAN/GTIN:
n.d. |
| |
|
| | |
| Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 8.5 A Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 8.5 A Resistenza RdsON canale N 0.014 ohm Resistenza RdsON canale P 0.014 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P 2.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMC3021LSDQ-13, 3944039, 394-4039 |
| | |
| |