Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3943709 N. Art. Produtt.:
DMP2010UFV-13 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0075 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerDI 3333 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMP2010UFV-13, 3943709, 394-3709 |
| | |
| |