NEXPERIA PXP015-30QLJ MOSFET, CAN P, 30V, 12.8A, 150°C, 4.2W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0136 ohm Gamma di prodotti serie Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 12.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MLPAK33 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 4.2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)