Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3930510 N. Art. Produtt.:
IXTA120P065T EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.01 ohm Gamma di prodotti serie TrenchP Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263AA Tensione Drain Source Vds 65 V Dissipazione di potenza 298 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, LITTELFUSE, IXTA120P065T, 3930510, 393-0510 |
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