Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3930114 N. Art. Produtt.:
IXFX120N65X2 EAN/GTIN:
n.d. |
| |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.024 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PLUS247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 1.25 kW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, LITTELFUSE, IXFX120N65X2, 3930114, 393-0114 |
| | |
| |