Informazioni sul prodotto | |
|
| N. Articolo: 8585-3929812 N. Art. Produtt.: NXH450B100H4Q2F2PG EAN/GTIN: n.d. |
| | |
|
| | |
| Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1 kV Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 101 A Temperatura di esercizio max 175 °C Terminazione IGBT montaggio a pressione Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.7 V Dissipazione di potenza 234 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Tecnologia Transistore IGBT IGBT [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT doppio |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, ONSEMI, NXH450B100H4Q2F2PG, 3929812, 392-9812 |
| | |
| |