Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3929806 N. Art. Produtt.: NXH350N100H4Q2F2P1G EAN/GTIN: n.d. |
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| Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1 kV Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 303 A Terminazione IGBT montaggio a pressione Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.63 V Dissipazione di potenza 592 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) Tecnologia Transistore IGBT IGBT [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT Four Pack |
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| Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, ONSEMI, NXH350N100H4Q2F2P1G, 3929806, 392-9806 |
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