Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3929253 N. Art. Produtt.:
SIHH11N65EF-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.332 ohm Gamma di prodotti E Series Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIHH11N65EF-T1-GE3, 3929253, 392-9253 |
| | |
| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 2,87* | € 5,65* | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 2,74* | € 6,71* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|