VISHAY SIUD402ED-T1-GE3 MOSFET, CAN N, 20V, 1A, POWERPAK 0806

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.57 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 0806 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)