Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3929245 N. Art. Produtt.:
SIHD6N65E-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.5 ohm Gamma di prodotti E Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Corrente Continua di Drain Id 7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 78 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHD6N65E-GE3, 3929245, 392-9245 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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