VISHAY SQM120N06-06_GE3 MOSFET, CANALE N, 60V, 120A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0045 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 230 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022)