Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3929229 N. Art. Produtt.:
SIHP28N65EF-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Resistenza Drain-Source in conduzione 0.102 ohm Gamma di prodotti E Series Tensione di test di Rds(on) 10 V Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 28 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIHP28N65EF-GE3, 3929229, 392-9229 |
| | |
| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | Magazzino 8585 | | | | | | € 14,99* | a partire da € 2,78* | € 7,67* | | | | | | | | | | | € 7,90* | a partire da € 4,09* | € 7,91* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|