VISHAY SIHB24N65EF-GE3 MOSFET, CANALE N, 650V, 24A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.13 ohm Gamma di prodotti E Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised