VISHAY SIHB21N65EF-GE3 MOSFET, CANALE N, 650V, 21A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.15 ohm Gamma di prodotti E Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Corrente Continua di Drain Id 21 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 208 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised