Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3929210 N. Art. Produtt.:
SIHG21N65EF-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.15 ohm Gamma di prodotti E Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 21 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247AC Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 208 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHG21N65EF-GE3, 3929210, 392-9210 |
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