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INFINEON IMBG65R083M1HXTMA1 MOSFET, SIC, CAN N, 650V, 28A, TO-263


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N. Articolo:
     8585-3928612
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMBG65R083M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.083 ohm Gamma di prodotti CoolSiC M1 Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 28 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 126 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, IMBG65R083M1HXTMA1, 3928612, 392-8612
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Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
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