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STARPOWER GD1200HFY120C3S MODULO IGBT, 1.2KV, 2,23KA


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N. Articolo:
     8585-3912087
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD1200HFY120C3S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 2.23 kA Stile di Case del Transistor modulo Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.7 V Terminazione IGBT prigioniero Dissipazione di potenza 8.196 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte Montaggio Transistore a pannello
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD1200HFY120C3S, 3912087, 391-2087
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