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STARPOWER GD75HFX65C1S MODULO IGBT, 650V, 100A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3912063
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD75HFX65C1S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Dissipazione di potenza 258 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD75HFX65C1S, 3912063, 391-2063
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