Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3912062 N. Art. Produtt.:
GD50HFX65C1S EAN/GTIN:
n.d. |
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| Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 75 A Stile di Case del Transistor modulo Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Terminazione IGBT prigioniero Dissipazione di potenza 205 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Configurazione Transistore IGBT mezzo ponte Montaggio Transistore a pannello |
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| Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD50HFX65C1S, 3912062, 391-2062 |
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