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INFINEON IPLK80R1K4P7ATMA1 MOSFET, CAN N, 800V, 4A, THINPAK 5X6
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3886375
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPLK80R1K4P7ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Gamma di prodotti CoolMOS P7 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor ThinPAK 5x6 Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 37 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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Effetto
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INFINEON
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IPLK80R1K4P7ATMA1
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3886375
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388-6375
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