TOSHIBA TPW4R008NH,L1Q(M MOSFET, CANALE N, 80V, 116A, DSOP

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0033 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 116 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DSOP Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised