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TOSHIBA TPH8R80ANH,L1Q(M MOSFET, CANALE N, 100V, 59A, SOP


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3872554
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TPH8R80ANH,L1Q(M
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0074 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 59 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 61 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (08-Jul-2021)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TOSHIBA, TPH8R80ANH,L1Q(M, 3872554, 387-2554
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