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Articolo
TOSHIBA TK32E12N1,S1X(S MOSFET, CANALE N, 120V, 60A, TO-220
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3872392
Produttore:
Toshiba
N. Art. Produtt.:
TK32E12N1,S1X(S
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 120 V Dissipazione di potenza 98 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (08-Jul-2021)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
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,
Discreti
,
Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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TOSHIBA
,
TK32E12N1,S1X(S
,
3872392
,
387-2392
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