TOSHIBA TPH1R712MD,L1Q(M MOSFET, CANALE P, 20V, 60A, SOP

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00135 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 78 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised