Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3869756 N. Art. Produtt.:
RJK0855DPB-00#J5 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0082 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 30 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor LFPAK Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, RENESAS, RJK0855DPB-00#J5, 3869756, 386-9756 |
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