Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3828401 N. Art. Produtt.:
DMN10H6D2LFDB-7 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P 270 mA Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 270 mA Resistenza RdsON canale N 3.4 ohm Resistenza RdsON canale P 3.4 ohm Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 1 W Dissipazione di potenza canale P 1 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor U-DFN2020 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, DIODES INC., DMN10H6D2LFDB-7, 3828401, 382-8401 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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