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Articolo
ROHM QH8KC5TCR MOSFET, DUAL, CANALE N, 60V, 3A, TSMT
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3778175
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
QH8KC5TCR
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3 A Resistenza RdsON canale N 0.07 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.07 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.5 W Dissipazione di potenza canale P 1.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Doppi
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Effetto
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Semiconduttori
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Transistori
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ROHM
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QH8KC5TCR
,
3778175
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377-8175
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