VISHAY SIHB5N80AE-GE3 MOSFET, CANALE N, 800V, 4.4A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.17 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 62.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)