Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3773147 N. Art. Produtt.: SQJ123ELP-T1_GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0029 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 238 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO-8L Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 375 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 600 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQJ123ELP-T1_GE3, 3773147, 377-3147 |
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