TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM070NB04CR RLG MOSFET, CANALE N, 40V, 75A, PDFN56

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0045 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 75 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PDFN56U Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 83 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)