VISHAY SQM50P06-15L_GE3 MOSFET, CANALE P, 60V, 50A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.013 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021)