VISHAY SQM40P10-40L_GE3 MOSFET, CANALE P, 100V, 40A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.033 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 40 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 150 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021)