Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3772844 N. Art. Produtt.:
SISS10DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0022 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 57 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SISS10DN-T1-GE3, 3772844, 377-2844 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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