Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3772840 N. Art. Produtt.:
SIS438DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0079 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen III Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 16 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 27.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIS438DN-T1-GE3, 3772840, 377-2840 |
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