Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3772836 N. Art. Produtt.:
SIRA18ADP-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Corrente Continua di Drain Id 30.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 14.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIRA18ADP-T1-GE3, 3772836, 377-2836 |
| | |
| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3 | | € 7,90* | a partire da € 0,181* | € 0,34* | | | | Magazzino 8585 | | | | 5 | | € 14,99* | a partire da € 0,127* | € 0,555* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partire da 7500000 pezzi | | | | Ordini solo in multipli di 5 pezzi | Quantità minima di ordine: 5 pezzi ( € 2,775* più IVA ) |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|