VISHAY SIHFU9220-GE3 MOSFET, CANALE P, 200V, 3.6A, TO-251

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.5 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-251 (IPAK) Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 42 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021)