VISHAY SI8802DB-T2-E1 MOSFET, CANALE N, 8V, 3.5A, MICRO FOOT

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.044 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MICRO FOOT Tensione Drain Source Vds 8 V Dissipazione di potenza 900 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 350 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)