VISHAY SI7633DP-T1-GE3 MOSFET, CANALE P, 20V, 60A, POWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0027 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 104 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)