Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo: 8585-3768889 N. Art. Produtt.: FZ825R33HE4DBPSA1 EAN/GTIN: n.d. |
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 | Gamma di prodotti IHM-B Massima tensione Collettore-Emettitore 3.3 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 825 A Stile di Case del Transistor modulo Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2.4 V Dissipazione di potenza - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 4 [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT Duale, Emettitore Comune |
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 | Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FZ825R33HE4DBPSA1, 3768889, 376-8889 |
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