Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3766203 N. Art. Produtt.:
NTD360N65S3H EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.296 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 83 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTD360N65S3H, 3766203, 376-6203 |
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