Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3766132 N. Art. Produtt.: FCPF250N65S3L1-F154 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.21 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220F Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 31 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FCPF250N65S3L1-F154, 3766132, 376-6132 |
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