VISHAY SIHG21N80AEF-GE3 MOSFET, CAN N, 800V, 16.3A, 150°C, 179W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.22 ohm Gamma di prodotti EF Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 16.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247AC Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 179 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)