Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3729612 N. Art. Produtt.:
SISS54DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 880 µohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212-8S Corrente Continua di Drain Id 185.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 65.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SISS54DN-T1-GE3, 3729612, 372-9612 |
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| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | Franco domicilio | a partire da € 0,588* | € 0,678* | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | a partire da € 0,86* | € 1,63* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 0,588* | € 2,00* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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