Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3703581 N. Art. Produtt.:
FZ1200R12HE4HOSA2 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 1.825 kA Stile di Case del Transistor modulo Terminazione IGBT prigioniero Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.75 V Dissipazione di potenza 7.15 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 4 [Trench/Field Stop] Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT doppio |
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| Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FZ1200R12HE4HOSA2, 3703581, 370-3581 |
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