VISHAY SQJB46ELP-T1_GE3 MOSFET, N-CH, 40V, 30A, POWERPAK SO

Resistenza RdsON canale N 0.0064 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0064 ohm Dissipazione di potenza canale N 34 W Dissipazione di potenza canale P 34 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A