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ROHM R6511KND3TL1 MOSFET, CANALE N, 650V, 11A, TO-252
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3702503
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
R6511KND3TL1
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.36 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 124 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
,
Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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ROHM
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R6511KND3TL1
,
3702503
,
370-2503
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