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ROHM R6509END3TL1 MOSFET, CANALE N, 650V, 9A, TO-252


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N. Articolo:
     8585-3702500
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6509END3TL1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.53 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 94 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6509END3TL1, 3702500, 370-2500
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