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ROHM R6000ENHTB1 MOSFET, CANALE N, 600V, 0.5A, SOP
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3702494
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
R6000ENHTB1
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Stile di Case del Transistor SOP Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 7.3 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 500 mA Temperatura di esercizio max 150 °C
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
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(FET)
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Campo
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3702494
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370-2494
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