Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3680110 N. Art. Produtt.: DMC2025UFDB-7 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6 A Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6 A Resistenza RdsON canale N 0.025 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.025 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.4 W Dissipazione di potenza canale P 1.4 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor U-DFN2020 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMC2025UFDB-7, 3680110, 368-0110 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | In magazzino |
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